Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах, в схемах управления газоразрядной панелью переменного тока, силовых каскадах ключевых стабилизаторов и преобразователей.
Транзисторы 2Т630А, 2Т630Б, КТ630А, КТ630Б, КТ630В, КТ630Г, КТ630Д, КТ630Е выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Транзистор 2Т630А-5 выпускается в виде неразделенных кристаллов на пластине с контактными площадками для гибридных интегральных микросхем.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора в металлостеклянном корпусе не более 2 г, кристалла не более 0,005 г.

Основные технические характеристики транзистора КТ630Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,8 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 50 МГц;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 120 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 7 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1000 мА;
• Iк и max — Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 2000 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА (90В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 80… 240;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2 Ом